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Nanoscale order, thermal conductivity of Ge2Sb2Te5 alloy and its application for PRAM device : Ge2Sb2Te5 화합물의 나노스케일 규칙도, 열전도도 및 이를 적용한 상변화 메모리소자에 대한 연구
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- Authors
- Advisor
- 김기범
- Issue Date
- 2009
- Publisher
- 서울대학교 대학원
- Keywords
- 상변화 메모리 ; Phase change memory ; 중거리 규칙도 ; PRAM ; 열전도도 ; PCRAM ; 상호확산 ; Ge2Sb2Te5 ; 확산방지막 ; Si ; 열전효과 ; Ti silicide ; nanoscale order ; thermal conductivity ; interdiffusion ; diffusion barrier ; Thermoelectric effect ; Peltier effect ; FEM ; TDTR
- Description
- Thesis(doctors) --서울대학교 대학원 :재료공학부,2009.8.
- Language
- English
- URI
- http://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000038119
https://hdl.handle.net/10371/12930
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