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Growth of GaN thin film using silica microspheres coated sapphire substrate : 실리카 볼이 코팅된 사파이어 기판을 사용한 고품질의 질화갈륨 박막의 성장

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Authors

김종학

Advisor
윤의준
Issue Date
2009
Publisher
서울대학교 대학원
Keywords
유기 금속 화학 기상 증착 법GaN film실리카 볼ELOG mechanism스핀 코팅silica microspheres자기조립 단 분자 막질화 갈륨
Description
학위논문(석사) --서울대학교 대학원 :재료공학부, 2009.2.
Language
English
URI
http://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000036864

https://hdl.handle.net/10371/14784
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