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Tetravalent 이온 도핑이 VO2 박막의 상전이 온도에 미치는 영향 : Effect of tetravalent ion doping on transition temperature fo VO2 thin film
Effect of tetravalent ion doping on transition temperature fo VO2 thin film

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dc.contributor.advisor박찬-
dc.contributor.author고경은-
dc.date.accessioned2019-06-25T16:24:45Z-
dc.date.available2019-06-25T16:24:45Z-
dc.date.issued2012-02-
dc.identifier.other000000000317-
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/10371/155443-
dc.identifier.urihttp://dcollection.snu.ac.kr/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000000317-
dc.description학위논문 (석사)-- 서울대학교 대학원 : 재료공학부, 2012. 2. 박찬.-
dc.description.abstractThermochromic smart window는 외부의 온도에 따라 태양광을 선택적으로 차단하여 창호를 통한 에너지 손실을 줄일 수 있도록 고안된 Energy saving system의 하나이다.
전이금속 산화물인 VO2(이산화바나듐)은 Thermochromic smart window의 coating 재료로서 많은 연구가 이루어지고 있다. VO2는 상온과 가까운 68°C정도에서 상전이를 일으키는 물질로서, VO2의 상전이 현상과 함께 전기저항 및 적외선 투과도가 급격하게 변하는 thermochromic 현상을 수반한다. 또한, 전기저항 및 적외선 투과도가 변화할 때, 가열 시와 냉각 시의 변화가 서로 다른 hysteresis loop을 보인다.
VO2 박막을 Thermochromic smart window에 응용하기 위해서는 상전이 온도를 제어할 수 있는 기술이 필요하다. 현재까지 도핑 (doping)을 통한 상전이 온도 제어 연구가 활발하게 진행되고 있다. 도핑에 의한 상전이 온도 변화 요인은 도핑원소의 원자가 전자수[10](valence electron)와 이온반경[11] (ionic radius)으로 보고 되고 있다. 도핑원소의 원자가 전자수에 의한 영향은 많은 연구가 진행되고 있는 반면 도핑원소의 이온반경에 의한 영향 연구는 체계적으로 진행 된 바가 없다.
본 연구에서는 V과 같은 4+ 원자가 전자수를 가지는 원소를 선택적으로 도핑하여 도핑원소의 원자가 전자수에 의한 영향을 제외 함으로써 도핑원소의 이온반경차이가 상전이 온도에 미치는 영향에 대하여 조사하였다. V보다 이온반경이 작은 Ge과 이온반경이 큰 Ti, Sn을 각각 도핑 함으로써 도핑원소의 이온반경에 차이를 두었다. VO2박막내에 도핑원소의 농도가 같을 때 도핑원소의 이온반경의 크기에 따른 상전이 온도 변화 영향을 확인하기 위해 XPS를 통하여 도핑원소의 정량분석을 실시하였다. Ge, Ti, Sn은 모두 VO2박막의 상전이 온도를 증가시키는 것으로 확인 되었으며 도핑원소의 이온반경 보다는 V4+와 도핑원소간의 이온반경차이가 상전이 온도에 중요한 역할을 하는 것으로 판단된다.
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dc.format.extentiv, 61-
dc.language.isokor-
dc.publisher서울대학교 대학원-
dc.subject.ddc620.1-
dc.titleTetravalent 이온 도핑이 VO2 박막의 상전이 온도에 미치는 영향-
dc.title.alternativeEffect of tetravalent ion doping on transition temperature fo VO2 thin film-
dc.typeThesis-
dc.typeDissertation-
dc.contributor.AlternativeAuthorKo, Kyeong-Eun-
dc.description.degreeMaster-
dc.contributor.affiliation재료공학부-
dc.date.awarded2012-02-
dc.title.subtitleEffect of tetravalent ion doping on transition temperature fo VO2 thin film-
dc.contributor.major재료공학-
dc.identifier.holdings000000000006▲000000000011▲000000000317▲-
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