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Performance enhancement of trench-gate silicon carbide metal semiconductor field effect transistors for microwave power device applications : 고주파 전력소자 응용을 위한 탄화규소 트렌치 게이트 금속-반도체 전계효과 트렌지스터의 성능 향상에 관한 연구
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- Authors
- Advisor
- 김형준
- Major
- 재료공학부
- Issue Date
- 2011-08
- Publisher
- 서울대학교 대학원
- Keywords
- 4에이치-탄화규소 ; 금속-반도체 전계효과 트랜지스터 ; 트렌치-게이트 ; 이온주입 ; 오믹접합 ; 쇼트키접합 ; 게이트 구조 ; 고순도 반절연 기판 ; 드레인 유도 장벽 저하 ; 소신호등가회로 ; 4H-SiC ; MESFET ; Trench-gate ; Ion-implantation ; Ohmic contact ; Schottky contact ; High-purity semi-insulating substrate ; Drain induced barrier lowering ; Small-signal equivalent circuit
- Description
- 학위논문 (박사)-- 서울대학교 대학원 : 재료공학부, 2011.8. 김형준.
- Language
- eng
- URI
- https://hdl.handle.net/10371/158971
http://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000031000
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