A study on the screening of trapped electrons in thin SiO₂layer

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A study on the screening of trapped electrons in thin SiO₂layer : 얇은 산화 실리콘박막에 포획된 전자들의 차폐효과에 대한 연구

DC Field	Value	Language
dc.contributor.advisor	박영준	-
dc.contributor.author	맹경무	-
dc.date.accessioned	2010-01-15T04:18:39Z	-
dc.date.available	2010-01-15T04:18:39Z	-
dc.date.copyright	1999.	-
dc.date.issued	1999	-
dc.identifier.uri	http://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000071865	eng
dc.identifier.uri	https://hdl.handle.net/10371/30808	-
dc.description	Thesis (doctoral)--서울대학교 대학원 :전자공학과,1999.	en
dc.format.extent	xi, 134 p.	en
dc.language.iso	en	en
dc.publisher	서울대학교 대학원	en
dc.subject	차폐효과	en
dc.subject	Screening	en
dc.subject	도핑 분포	en
dc.subject	scanning capacitance microscopy (SCM)	en
dc.subject	주사형·정전 현미경	en
dc.subject	C-V	en
dc.subject	포획전자	en
dc.subject	dopant profile	en
dc.subject	이동성 전하	en
dc.subject	electron and hole trap	en
dc.title	A study on the screening of trapped electrons in thin SiO₂layer	en
dc.title.alternative	얇은 산화 실리콘박막에 포획된 전자들의 차폐효과에 대한 연구	-
dc.type	Thesis	-
dc.contributor.department	전자공학과	-
dc.description.degree	Doctor	en

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