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Design and analysis of MOS gated-thyristor for improving forward characteristics and maximum controllable current : 순방향 특성 및 최대 제어가능 전류 特性 改善을 위한 MOS 구동 사이리스터의 設計 및 分析
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.advisor | 한민구 | - |
| dc.contributor.author | 변대석 | - |
| dc.date.accessioned | 2010-01-15T04:24:05Z | - |
| dc.date.available | 2010-01-15T04:24:05Z | - |
| dc.date.copyright | 1999. | - |
| dc.date.issued | 1999 | - |
| dc.identifier.uri | http://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000071861 | eng |
| dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/10371/30943 | - |
| dc.description | Thesis (doctoral)--서울대학교 대학원 :전기공학부,1999. | en |
| dc.format.extent | x, 165 p. | en |
| dc.language.iso | en | en |
| dc.publisher | 서울대학교 대학원 | en |
| dc.subject | 사이리스터 | en |
| dc.subject | thyristor | en |
| dc.subject | 순방향 특성 | en |
| dc.subject | forward characteristics | en |
| dc.subject | 스냅-백 | en |
| dc.subject | snap-back | en |
| dc.subject | 순방향 전압강하 | en |
| dc.subject | forward voltage drop | en |
| dc.subject | 래치-업 | en |
| dc.subject | latch-up | en |
| dc.title | Design and analysis of MOS gated-thyristor for improving forward characteristics and maximum controllable current | en |
| dc.title.alternative | 순방향 특성 및 최대 제어가능 전류 特性 改善을 위한 MOS 구동 사이리스터의 設計 및 分析 | - |
| dc.type | Thesis | - |
| dc.contributor.department | 전기공학부 | - |
| dc.description.degree | Doctor | en |
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