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Applications of trench structure to improve the maximum controllable current (MCC) of the BRT and DC-EST : 베이스 저항 제어 사이리스터와 에미터 스위칭 제어 사이리스터의 최대 제어가능 전류 特性 改善을 위한 트렌치 구조 응용

DC Field Value Language
dc.contributor.advisor한민구-
dc.contributor.author전병철-
dc.date.accessioned2010-01-17T04:48:38Z-
dc.date.available2010-01-17T04:48:38Z-
dc.date.copyright2001.-
dc.date.issued2001-
dc.identifier.urihttp://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000063905eng
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/10371/35553-
dc.descriptionThesis (master`s)--서울대학교 대학원 :전기.컴퓨터공학부,2001.en
dc.format.extent85 leavesen
dc.language.isoenen
dc.publisher서울대학교 대학원en
dc.titleApplications of trench structure to improve the maximum controllable current (MCC) of the BRT and DC-ESTen
dc.title.alternative베이스 저항 제어 사이리스터와 에미터 스위칭 제어 사이리스터의 최대 제어가능 전류 特性 改善을 위한 트렌치 구조 응용-
dc.typeThesis-
dc.contributor.department전기.컴퓨터공학부-
dc.description.degreeMasteren
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