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Applications of trench structure to improve the maximum controllable current (MCC) of the BRT and DC-EST : 베이스 저항 제어 사이리스터와 에미터 스위칭 제어 사이리스터의 최대 제어가능 전류 特性 改善을 위한 트렌치 구조 응용
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.advisor | 한민구 | - |
dc.contributor.author | 전병철 | - |
dc.date.accessioned | 2010-01-17T04:48:38Z | - |
dc.date.available | 2010-01-17T04:48:38Z | - |
dc.date.copyright | 2001. | - |
dc.date.issued | 2001 | - |
dc.identifier.uri | http://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000063905 | eng |
dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/10371/35553 | - |
dc.description | Thesis (master`s)--서울대학교 대학원 :전기.컴퓨터공학부,2001. | en |
dc.format.extent | 85 leaves | en |
dc.language.iso | en | en |
dc.publisher | 서울대학교 대학원 | en |
dc.title | Applications of trench structure to improve the maximum controllable current (MCC) of the BRT and DC-EST | en |
dc.title.alternative | 베이스 저항 제어 사이리스터와 에미터 스위칭 제어 사이리스터의 최대 제어가능 전류 特性 改善을 위한 트렌치 구조 응용 | - |
dc.type | Thesis | - |
dc.contributor.department | 전기.컴퓨터공학부 | - |
dc.description.degree | Master | en |
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