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Poly-Si TFT의 ONOFF 전류비 향상을 위한 새로운 레이저 어닐링 방법과 소자 구조에 관한 연구

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dc.contributor.advisor한민구-
dc.contributor.author이민철-
dc.date.accessioned2010-01-19T04:50:20Z-
dc.date.available2010-01-19T04:50:20Z-
dc.date.copyright2000.-
dc.date.issued2000-
dc.identifier.urihttp://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000068461kor
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/10371/37744-
dc.description학위논문(석사)--서울대학교 대학원 :전기공학부,2000.ko
dc.format.extentiii, 62 장ko
dc.language.isokoko
dc.publisher서울대학교 대학원ko
dc.titlePoly-Si TFT의 ONOFF 전류비 향상을 위한 새로운 레이저 어닐링 방법과 소자 구조에 관한 연구ko
dc.typeThesis-
dc.contributor.department전기공학부-
dc.description.degreeMasterko
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