Study on cascode model with 65 nm gate length in RF MOSFETs

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Study on cascode model with 65 nm gate length in RF MOSFETs : 65nm 게이트 선폭을 갖는 RF MOSFET의 캐스코드 모델에 대한 연구

DC Field	Value	Language
dc.contributor.advisor	신형철	-
dc.contributor.author	정용상	-
dc.date.accessioned	2010-01-25T07:24:17Z	-
dc.date.available	2010-01-25T07:24:17Z	-
dc.date.copyright	2007.	-
dc.date.issued	2007	-
dc.identifier.uri	http://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000045638	eng
dc.identifier.uri	https://hdl.handle.net/10371/43540	-
dc.description	Thesis(master`s)--서울대학교 대학원 :협동과정 나노과학기술전공,2007.	en
dc.format.extent	iv, 75 leaves	en
dc.language.iso	en	en
dc.publisher	서울대학교 대학원	en
dc.subject	캐스코드	en
dc.subject	Cascode	en
dc.subject	소신호 등가 모델링	en
dc.subject	RF MOSFET	en
dc.subject	RF	en
dc.subject	Modeling	en
dc.subject	고주파 MOSFET	en
dc.subject	CMOS	en
dc.subject	파라미터	en
dc.subject	parameter	en
dc.subject	백터 네트워크 어낼라이저	en
dc.subject	MOS	en
dc.subject	트랜지스터	en
dc.subject	Transistor	en
dc.title	Study on cascode model with 65 nm gate length in RF MOSFETs	en
dc.title.alternative	65nm 게이트 선폭을 갖는 RF MOSFET의 캐스코드 모델에 대한 연구	en
dc.type	Thesis	-
dc.contributor.department	협동과정 나노과학기술전공	-
dc.description.degree	Master	en

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