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수직채널 이중 게이트 구조의 소자를 이용한 캐패시터를 갖지 않는 단일소자 구조의 디램 셀 구조에 관한 연구 : New capacitor-less 1T DRAM cell based on a double gate MOSFET with vertical channel (DGVC Cell)
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- Authors
- Advisor
- 박병국
- Issue Date
- 2007
- Publisher
- 서울대학교 대학원
- Keywords
- 전하 저장 공간이 없는 기억 소자 ; 1T DRAM ; 부분 공핍 ; Floating Body ; 완전 공핍 ; Double Gate ; 부하바디 ; Vertical Channel ; 1T DRAM ; Fully Depletion ; 수직 채널 ; Partially Depletion
- Description
- 학위논문(석사)--서울대학교 대학원 :협동과정 나노과학기술전공,2007.
- Language
- Korean
- URI
- http://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000045637
https://hdl.handle.net/10371/43541
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