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ICP-CVD 공정을 이용한 저온(150℃)SiO₂절연막의 전기적 특성연구
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.advisor | 한민구 | - |
dc.contributor.author | 강수혁 | - |
dc.date.accessioned | 2010-01-27T14:46:45Z | - |
dc.date.available | 2010-01-27T14:46:45Z | - |
dc.date.copyright | 2004. | - |
dc.date.issued | 2004 | - |
dc.identifier.uri | http://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000054318 | kog |
dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/10371/45594 | - |
dc.description | 학위논문(석사)--서울대학교 대학원 :전기·컴퓨터공학부,2004. | ko |
dc.format.extent | iv, 58 장 | ko |
dc.language.iso | ko | ko |
dc.publisher | 서울대학교 대학원 | ko |
dc.subject | 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 | ko |
dc.subject | Poly-si tft | ko |
dc.subject | 게이트 산화막 | ko |
dc.subject | Icp-cvd | ko |
dc.subject | 엑시머 레이저 어닐링 | ko |
dc.subject | Silicon dioxide | ko |
dc.subject | Gate insulator | ko |
dc.subject | Excimer laser annealing | ko |
dc.subject | Pre-oxidation | ko |
dc.title | ICP-CVD 공정을 이용한 저온(150℃)SiO₂절연막의 전기적 특성연구 | ko |
dc.type | Thesis | - |
dc.contributor.department | 전기·컴퓨터공학부 | - |
dc.description.degree | Master | ko |
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