Studies on gaN based light-emitting device structures with monolithically integrated angled mesa sidewalls

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Studies on gaN based light-emitting device structures with monolithically integrated angled mesa sidewalls : 경사진 옆면이 집적된 갈륨질화물의 빛 방출장치구조에 대한 연구

DC Field	Value	Language
dc.contributor.advisor	전헌수	-
dc.contributor.author	이재숭	-
dc.date.accessioned	2010-01-28T09:17:48Z	-
dc.date.available	2010-01-28T09:17:48Z	-
dc.date.copyright	2006.	-
dc.date.issued	2006	-
dc.identifier.uri	http://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000046340	eng
dc.identifier.uri	https://hdl.handle.net/10371/46432	-
dc.description	Thesis(doctoral)--서울대학교 대학원 :물리학부,2006.	en
dc.format.extent	viii, 106 p.	en
dc.language.iso	en	en
dc.publisher	서울대학교 대학원	en
dc.subject	발광다이오드	en
dc.subject	Light-Emitting Diodes	en
dc.subject	레이저다이오드	en
dc.subject	Laser-Diodes	en
dc.subject	갈륨질화물	en
dc.subject	GaN	en
dc.subject	경사진 옆면	en
dc.subject	Mesa Sidewalls	en
dc.subject	접힌 공진기	en
dc.subject	Folded Cavity	en
dc.title	Studies on gaN based light-emitting device structures with monolithically integrated angled mesa sidewalls	en
dc.title.alternative	경사진 옆면이 집적된 갈륨질화물의 빛 방출장치구조에 대한 연구	en
dc.type	Thesis	-
dc.contributor.department	물리학부	-
dc.description.degree	Doctor	en

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