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In[0.53]Ga[0.47] AsInP의 양자 우물 구조를 응용한 적외선 수광 소자 제작

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dc.contributor.advisor윤의준-
dc.contributor.author강종훈-
dc.date.accessioned2009-11-24T23:45:22Z-
dc.date.available2009-11-24T23:45:22Z-
dc.date.copyright2003.-
dc.date.issued2003-
dc.identifier.urihttp://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000057980kor
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/10371/14742-
dc.description학위논문(석사)--서울대학교 대학원 :재료공학부,2003.kor
dc.format.extentviii, 87 장kor
dc.language.isoko-
dc.publisher서울대학교 대학원kor
dc.subjectMOCVDkor
dc.subjectMOCVDkor
dc.subjectInGaAskor
dc.subjectInGaAskor
dc.subjectInPkor
dc.subjectInPkor
dc.subject양자 우물kor
dc.subjectQuantum Wellkor
dc.subject적외선 수광 소자kor
dc.subjectInfrared Photodetectorkor
dc.subjectPhotoluminescnce (PL)kor
dc.subjectPhotoluminescencekor
dc.subjectHigh resolution x-ray diffraction (HRXRD)kor
dc.subjectHigh resolution x-ray diffractionkor
dc.subject암 전류kor
dc.subjectDark currentkor
dc.subject광 전류kor
dc.subjectPhotocurrentkor
dc.titleIn[0.53]Ga[0.47] AsInP의 양자 우물 구조를 응용한 적외선 수광 소자 제작kor
dc.typeThesis-
dc.contributor.department재료공학부-
dc.description.degreeMasterkor
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