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Study on evaluation of crystallization activation energy and insertion of Al doped ZnO heating layer for high density PRAM : 고집적 상변화 메모리를 위한 상변화 활성화 에너지 평가와 알루미늄 도핑 산화아연 발열 박막 삽입 연구
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- Authors
- Advisor
- 김기범
- Major
- 재료공학부
- Issue Date
- 2011-02
- Publisher
- 서울대학교 대학원
- Keywords
- 상변화 메모리 ; 결정화 활성화 에너지 ; 저항 측정 ; 핵 생성 ; 결정 성장 ; 리셋 전류 ; 발열층 삽입 ; 비저항 ; 열전도도 ; PRAM ; scalability ; crystallization activation energy ; resistance measurement ; reset current ; Al doped ZnO heating interlayer
- Description
- 학위논문 (박사)-- 서울대학교 대학원 : 재료공학부, 2011.2. 김기범.
- Language
- eng
- URI
- https://hdl.handle.net/10371/158965
http://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000028950
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