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Characterization and optimization of charge trapping behaviors for non-volatile memory (NVM) device : 비휘발성 메모리에 적용되는 전하 트래핑 거동의 특성 측정 및 최적화 연구

DC Field Value Language
dc.contributor.advisor박병국-
dc.contributor.author이동화-
dc.date.accessioned2019-07-10T04:20:30Z-
dc.date.available2019-07-10T04:20:30Z-
dc.date.issued2011-08-
dc.identifier.other000000031088-
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/10371/159064-
dc.identifier.urihttp://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000031088ko_KR
dc.description학위논문 (박사)-- 서울대학교 대학원 : 전기. 컴퓨터공학부, 2011.8. 박병국.-
dc.format.extentv, 121장-
dc.language.isoeng-
dc.publisher서울대학교 대학원-
dc.subjectSONOS 플래시 메모리-
dc.subjectONO 층 두께-
dc.subjectONO 캡-
dc.subject전하 트래핑 거동-
dc.subject터널 장벽-
dc.subject전하 저장막-
dc.subject성능 최적화-
dc.subject프로그램-
dc.subject지우기 특성-
dc.subject메모리 윈도우-
dc.subject전하 유지 특성-
dc.subjectSONOS flash memory-
dc.subjectONO multilayer capacitor-
dc.subjectcharge trapping behaviors-
dc.subjectmodulated tunnel barrier-
dc.subjectmodulated charge storage layer-
dc.subjectperformance optimization-
dc.subjectprogram-
dc.subjecterase characteristics-
dc.subjectmemory window-
dc.subjectdata retention-
dc.titleCharacterization and optimization of charge trapping behaviors for non-volatile memory (NVM) device-
dc.title.alternative비휘발성 메모리에 적용되는 전하 트래핑 거동의 특성 측정 및 최적화 연구-
dc.typeThesis-
dc.typeDissertation-
dc.description.degreeDoctor-
dc.contributor.affiliation전기. 컴퓨터공학부-
dc.date.awarded2011-08-
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