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Investigation of reliability and gas Sensing properties in back-gated germanium nanowire FET : Back-gated Ge 나노와이어 FET 소자에서의 신뢰도 및 센서 응용을 위한 가스 반응 연구
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.advisor | 이종호 | - |
| dc.contributor.author | 유성원 | - |
| dc.date.accessioned | 2019-07-10T05:23:51Z | - |
| dc.date.available | 2019-07-10T05:23:51Z | - |
| dc.date.issued | 2011-08 | - |
| dc.identifier.other | 000000031693 | - |
| dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/10371/159645 | - |
| dc.identifier.uri | http://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000031693 | ko_KR |
| dc.description | 학위논문 (석사)-- 서울대학교 대학원 : 전기. 컴퓨터공학부, 2011.8. 이종호. | - |
| dc.format.extent | 44장 | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | 서울대학교 대학원 | - |
| dc.subject | Ge 나노와이어 | - |
| dc.subject | 신뢰도 | - |
| dc.subject | 가스 센서 | - |
| dc.subject | 게이트 바이어스 및 온도 스트레스 | - |
| dc.subject | 화학물질 및 수분의 반응에 의한 전기적 특성 변화 | - |
| dc.subject | Ge nanowire | - |
| dc.subject | reliability | - |
| dc.subject | gas sensor | - |
| dc.subject | gate bias and temperature stress | - |
| dc.subject | electrical characteristics change by reaction to chemical substances and water | - |
| dc.title | Investigation of reliability and gas Sensing properties in back-gated germanium nanowire FET | - |
| dc.title.alternative | Back-gated Ge 나노와이어 FET 소자에서의 신뢰도 및 센서 응용을 위한 가스 반응 연구 | - |
| dc.type | Thesis | - |
| dc.type | Dissertation | - |
| dc.description.degree | Master | - |
| dc.contributor.affiliation | 전기. 컴퓨터공학부 | - |
| dc.date.awarded | 2011-08 | - |
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