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Investigation on the characteristics of stress-induced hump in amorphous HfInZnO thin film transistors : HfInZnO로 구성된 산화물 박막 소자의 Stress로 인한 Hump 특성에 관한 연구
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- Authors
- Advisor
- 박병국
- Major
- 전기. 컴퓨터공학부
- Issue Date
- 2011-08
- Publisher
- 서울대학교 대학원
- Keywords
- 비정질 HIZO 박막소자 ; hump ; 빛과 음의 전압 스트레스 ; Schottky 장벽 ; 둥글어진 게이트 ; a-HIZO TFTs ; hump characteristics ; light and negative bias stress ; Schottky barrier ; rounded gate
- Description
- 학위논문 (석사)-- 서울대학교 대학원 : 전기. 컴퓨터공학부, 2011.8. 박병국.
- Language
- eng
- URI
- https://hdl.handle.net/10371/159649
http://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000031673
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