Novel lateral power transistors on SOI substrate for improving forward characteristics

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Novel lateral power transistors on SOI substrate for improving forward characteristics : 順方向特性改善을 위한 SOI 水平形電力 트랜지스터

DC Field	Value	Language
dc.contributor.advisor	한민구	-
dc.contributor.author	김두영	-
dc.date.accessioned	2010-01-15T04:23:19Z	-
dc.date.available	2010-01-15T04:23:19Z	-
dc.date.copyright	1999.	-
dc.date.issued	1999	-
dc.identifier.uri	http://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000074313	eng
dc.identifier.uri	https://hdl.handle.net/10371/30925	-
dc.description	Thesis (doctoral)--서울대학교 대학원 :전기공학부,1999.	en
dc.format.extent	xi, 182 p.	en
dc.language.iso	en	en
dc.publisher	서울대학교 대학원	en
dc.subject	silicon-on-insulator(SOI)	en
dc.subject	power integrated circuits	en
dc.subject	전력집적회로	en
dc.subject	bipolar-mode field effect transisitor	en
dc.subject	바이폴라 모드 전계 효과 트랜지스터	en
dc.subject	current gain characteristics	en
dc.subject	전류이득률 특성	en
dc.subject	forward blocking capability	en
dc.subject	순방향 전압저지 능력	en
dc.title	Novel lateral power transistors on SOI substrate for improving forward characteristics	en
dc.title.alternative	順方向特性改善을 위한 SOI 水平形電力 트랜지스터	-
dc.type	Thesis	-
dc.contributor.department	전기공학부	-
dc.description.degree	Doctor	en

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