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거대자기저항 및 터널링 자기저항을 이용한 새로운 스핀밸브 구조의 자기저항 메모리 소자 개발에 관한 연구 : A Study on the development of new spin valve structures for magnetoresistive RAM based on giant magnetoresistance and tunneling magnetoresistance
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- Authors
- Advisor
- 주승기
- Issue Date
- 2001
- Publisher
- 서울대학교 대학원
- Keywords
- magnetoresistive RAM(MRAM) ; 자기저항 메모리 ; Degree of intergration ; 직접도 ; Stability ; 신뢰도 ; Multilevel MRAM ; 다중기억 자기저항 메모리 ; Co/Ru/Co synthetic antiferromagnet(SyAF) ; 스퍼터링을 이용한 유사 원자층 에피택시얼 방법
- Description
- 학위논문(박사)--서울대학교 대학원 :재료공학부,2001.
- Language
- Korean
- URI
- http://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000066373
https://hdl.handle.net/10371/35452
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