불화탄소 플라즈마에서 벽면으로부터 반사된 이온과 바닥면으로부터 발생된 라디칼이 SiO₂의 식각 특성에 미치는 영향

이겨레

불화탄소 플라즈마에서 벽면으로부터 반사된 이온과 바닥면으로부터 발생된 라디칼이 SiO₂의 식각 특성에 미치는 영향
Effects of ions reflected from the sidewall and radicals emitted from the bottom on the etch characteristics of SiO₂in a fluorocarbon plasma

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Authors: 이겨레

Advisor: 문상흡

Issue Date: 2004

Publisher: 서울대학교 대학원

Keywords: 불화탄소 플라즈마; fluorocarbon plasma; 식각; etching; 증착; deposition; 이차 식각; secondary etching; 불화탄소 고분자; fluorocarbon polymer; 각도 의존성; angular dependence; 바이어스 전압; bias voltage; 라디칼; radical; 파라데이 상자; Faraday cage; 질량분석기; mass spectrometer

Description: 학위논문(박사)--서울대학교 대학원 :응용화학부,2004.

Language: Korean

URI: http://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000056142

http://hdl.handle.net/10371/44926

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Appears in Collections:: College of Agriculture and Life Sciences (농업생명과학대학)Dept. of Applied Biology and Chemistry (응용생물화학부)Theses (Ph.D. / Sc.D._응용생물화학부)

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