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Impact-ionization metal-oxide-semiconductor (I-MOS) devices using avalanche breakdown mechanism : 沙汰 降伏 원리를 이용한 이온화 충돌 반도체 소자
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- Authors
- Advisor
- 박병국
- Issue Date
- 2006
- Publisher
- 서울대학교 대학원
- Keywords
- 상보형 금속 산화물 반도체 (CMOS) 소자 ; complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) device ; 새로운 소자 ; novel device ; 금속 산화물반도체 전계효과 트랜지스터 (MOSFET) ; MOS field-effect transistor (MOSFET) ; 사태 항복 원리를 이용한 이온화 충돌 반도체 (I-MOS) 소자 ; impact-ionization MOS (I-MOS) device ; 문턱전압 이하 기울기 ; subthreshold swing ; 이온화 충돌 ; impact ionization ; 사태 항복 ; avalanche breakdown ; 새로운 바이어싱 방법 ; novel biasing scheme ; 새로운 소자 제작 방법 ; novel fabrication method ; 자기 정렬 ; self-alignment ; 터널링 전계효과 트랜지스터 (TFET) ; tunneling FET (TFET) ; 집적 ; integration ; 반전기 ; inverter ; NAND 게이트 ; NAND gate ; NOR 게이트 ; NOR gate ; 6T-SRAM 셀 ; and 6T-SRAM cell
- Description
- Thesis(doctoral)--서울대학교 대학원 :전기공학부,2006.
- Language
- English
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