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Modeling of RF MOSFETs for 100 GHz applications : 100 GHz 주파수 대역의 응용을 위한 RF MOSFET의 모델링
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.advisor | 이종덕 | - |
dc.contributor.author | 강인만 | - |
dc.date.accessioned | 2010-02-02T16:09:23Z | - |
dc.date.available | 2010-02-02T16:09:23Z | - |
dc.date.copyright | 2007 | - |
dc.date.issued | 2007 | - |
dc.identifier.other | 000000045164 | - |
dc.identifier.uri | http://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000045164 | - |
dc.description | Thesis(doctor`s)--서울大學校 大學院 :電氣·컴퓨터工學部,2007. | - |
dc.format.extent | v, 209 p. | - |
dc.language.iso | en | - |
dc.publisher | 서울大學校 大學院 | - |
dc.subject | 소신호 모델링 | - |
dc.subject | small-signal modeling | - |
dc.subject | 밀리미터파 | - |
dc.subject | millimeter wave | - |
dc.subject | 3 포트 측정 | - |
dc.subject | three-port measurement | - |
dc.subject | S-파라미터 | - |
dc.subject | S-parameter | - |
dc.subject | Y-파라미터 | - |
dc.subject | Y-parameter | - |
dc.subject | 라디오 주파수 (RF) 금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터 (MOSFET) | - |
dc.subject | RF MOSFETs | - |
dc.subject | 비 준정적 효과 | - |
dc.subject | non-quasi-static effect | - |
dc.subject | 기판 저항 | - |
dc.subject | substrate resistance | - |
dc.subject | 매크로 모델링 | - |
dc.subject | macro-model | - |
dc.subject | Fin 반도체 전계효과 트랜지스터 | - |
dc.subject | FinFET | - |
dc.subject | fmax | - |
dc.subject | CASCODE | - |
dc.title | Modeling of RF MOSFETs for 100 GHz applications | - |
dc.title.alternative | 100 GHz 주파수 대역의 응용을 위한 RF MOSFET의 모델링 | - |
dc.type | Thesis | - |
dc.contributor.department | 電氣·컴퓨터工學部 | - |
dc.description.degree | Thesis(doctor`s)-- | - |
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