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양자 제한 효과에 의한 밴드 간격 증가를 이용한 트랜치 터널링 장벽 단전자 트랜지스터 : Trench tunneling barrier single-electron transistors (TSETs) using bandgap increase by quantum confinement effect
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.advisor | 박병국 | - |
| dc.contributor.author | 김진호 | - |
| dc.date.accessioned | 2010-02-09 | - |
| dc.date.available | 2010-02-09 | - |
| dc.date.copyright | 2007. | - |
| dc.date.issued | 2007 | - |
| dc.identifier.uri | http://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000043877 | kog |
| dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/10371/52529 | - |
| dc.description | 학위논문(석사) --서울대학교 대학원 :전기. 컴퓨터공학부,2007. | ko |
| dc.format.extent | iii, 71 장 | ko |
| dc.language.iso | ko | ko |
| dc.publisher | 서울대학교 대학원 | ko |
| dc.subject | 소자 크기 축소 | ko |
| dc.subject | scaling down | ko |
| dc.subject | 단전자 트랜지스터 | ko |
| dc.subject | SET | ko |
| dc.subject | 트랜치 | ko |
| dc.subject | trench | ko |
| dc.subject | 양자제한효과 | ko |
| dc.subject | quantum confinement effect | ko |
| dc.subject | NDT | ko |
| dc.subject | NDT | ko |
| dc.title | 양자 제한 효과에 의한 밴드 간격 증가를 이용한 트랜치 터널링 장벽 단전자 트랜지스터 | ko |
| dc.title.alternative | Trench tunneling barrier single-electron transistors (TSETs) using bandgap increase by quantum confinement effect | ko |
| dc.type | Thesis | - |
| dc.contributor.department | 전기. 컴퓨터공학부 | - |
| dc.description.degree | Master | ko |
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