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Fin and Recess Channel MOSFET for High Speed and Low Power DRAM Cell : 고속 저전력 디램 셀을 위한 핀과 리세스 혼합 채널 MOSFET
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.advisor | 박병국 | - |
dc.contributor.author | 송재영 | - |
dc.date.accessioned | 2010-05-04T05:32:33Z | - |
dc.date.available | 2010-05-04T05:32:33Z | - |
dc.date.copyright | 2010 | - |
dc.date.issued | 2010 | - |
dc.identifier.uri | http://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000032541 | eng |
dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/10371/63984 | - |
dc.description | Thesis(doctors) --서울대학교 대학원 :전기. 컴퓨터공학부,2010.2. | en |
dc.format.extent | vi, 132 p. | en |
dc.language.iso | en | en |
dc.publisher | 서울대학교 대학원 | en |
dc.subject | 핀과 리세스 혼합 채널 MOSFET (FiReFET) | en |
dc.subject | Fin and Recess Channel MOSFET (FiReFET) | en |
dc.subject | 함몰게이트 구조 | en |
dc.subject | buried-gate structure | en |
dc.subject | 소스 | en |
dc.subject | source | en |
dc.subject | 드레인 저항 | en |
dc.subject | drain resistance | en |
dc.subject | 게이트 유도 드레인 누설 (GIDL) | en |
dc.subject | Gate-Induced Drain Leakage (GIDL) | en |
dc.subject | 다이내믹 랜덤 액세스 메모리 (DRAM) | en |
dc.subject | Dynamic Random Access Memory (DRAM) | en |
dc.subject | 고속 | en |
dc.subject | high speed | en |
dc.subject | 저전력 | en |
dc.subject | low power | en |
dc.title | Fin and Recess Channel MOSFET for High Speed and Low Power DRAM Cell | en |
dc.title.alternative | 고속 저전력 디램 셀을 위한 핀과 리세스 혼합 채널 MOSFET | en |
dc.type | Thesis | - |
dc.contributor.department | 전기. 컴퓨터공학부 | - |
dc.description.degree | Doctor | en |
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