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Fin and Recess Channel MOSFET for High Speed and Low Power DRAM Cell : 고속 저전력 디램 셀을 위한 핀과 리세스 혼합 채널 MOSFET
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- Authors
- Advisor
- 박병국
- Issue Date
- 2010
- Publisher
- 서울대학교 대학원
- Keywords
- 핀과 리세스 혼합 채널 MOSFET (FiReFET) ; Fin and Recess Channel MOSFET (FiReFET) ; 함몰게이트 구조 ; buried-gate structure ; 소스 ; source ; 드레인 저항 ; drain resistance ; 게이트 유도 드레인 누설 (GIDL) ; Gate-Induced Drain Leakage (GIDL) ; 다이내믹 랜덤 액세스 메모리 (DRAM) ; Dynamic Random Access Memory (DRAM) ; 고속 ; high speed ; 저전력 ; low power
- Description
- Thesis(doctors) --서울대학교 대학원 :전기. 컴퓨터공학부,2010.2.
- Language
- English
- URI
- http://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000032541
https://hdl.handle.net/10371/63984
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