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다중양자우물의 상호 섞임 현상을 이용한 다중파장검출기의 제작 : Fabrication of Wavelengh Division Demultiplexing Photodetectors Using Quantum Well Intermixing
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | 여덕호 | - |
dc.contributor.author | 윤경훈 | - |
dc.contributor.author | 김성준 | - |
dc.date.accessioned | 2009-08-26T04:15:44Z | - |
dc.date.available | 2009-08-26T04:15:44Z | - |
dc.date.issued | 2000-09 | - |
dc.identifier.citation | 전자공학회논문지, 제37권 SD편, 제9호, 667-672쪽, 2000년 9월 | en |
dc.identifier.issn | 1229-6368 | - |
dc.identifier.uri | http://uci.or.kr/G300-j12296392.v37n09p1 | - |
dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/10371/7864 | - |
dc.description.abstract | InGaAs/InGaAsP 다중양자우물구조에 불순물없는 vacancy 확산으로 지역 선택적인 상호 섞임 현상을 유도하고, 다중 파장 검출이 가능한 집적 광도파로형 photodetector를 제작 및 측정하였다. 다중양자우물구조는 상호섞임에 의하여 밴드갭이 크게 청색편이 하였다. 집적 광수신소자는 p-i-n 구조이며, 밴드갭이 큰 영역과 작은 영역이 광도파로를 따라 일렬이 되도록 하였다. 광도파로의 폭은 20um이며, 각 광수신소자의 길이는 250um이다. Tunable 레이저와 편광기를 이용하여, TE/TM 편광된 빛을 광수신소자에 butt-coupling 방법으로 입사하여 소자의 파장 특성을 측정하였따. 제작된 소자는 1480nm 와 1550nm 파장 영역을 분리, 수광할 수 있음을 보였다. | en |
dc.description.sponsorship | 본 실험을 하는데 많은 조언을 주신 LG 중앙연구소의 조인성 연구원께 감사드립니다 | en |
dc.language.iso | ko | en |
dc.publisher | 대한전자공학회 = The Institute of Electronics Engineers of Korea | en |
dc.title | 다중양자우물의 상호 섞임 현상을 이용한 다중파장검출기의 제작 | en |
dc.title.alternative | Fabrication of Wavelengh Division Demultiplexing Photodetectors Using Quantum Well Intermixing | en |
dc.type | Article | en |
dc.contributor.AlternativeAuthor | Yeo, Deok Ho | - |
dc.contributor.AlternativeAuthor | Uoon, Kyung Hun | - |
dc.contributor.AlternativeAuthor | Kim, Sung June | - |
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