High-performance Transistors based on Pristine Semiconducting Carbon Nanotubes

Abstract

본 논문에서는 원심분리를 통해 계면활성제 없이 sCNT의 bundle을 성공적으로 제거하여 pristine sCNT 용액을 추출하였다. 그리고 추출된 CNT 용액에 계면활성제와 CNT bundle이 없음을 확인하기 위해 XPS와 AFM 분석을 하였다. 마지막으로 SPA method를 이용해 pristine sCNT-FET를 대량 제작하여 그 전기적 특성을 원심분리되지 않은 sCNT기반 FET와 비교하였다. 그 결과 pristine sCNT-FET의 on-off ratio, subthreshold swing 등 성능이 기존소자에 비해 개선됨을 확인하였다. 원심분리를 이용한 pristine sCNT 정제는 간편하고 다양한 분야에 적용 가능하기 때문에 CNT를 이용한 소자개발에 많은 도움이 될 것으로 보인다.