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Performance enhancement of trench-gate silicon carbide metal semiconductor field effect transistors for microwave power device applications : 고주파 전력소자 응용을 위한 탄화규소 트렌치 게이트 금속-반도체 전계효과 트렌지스터의 성능 향상에 관한 연구

DC Field Value Language
dc.contributor.advisor김형준-
dc.contributor.author임정혁-
dc.date.accessioned2019-07-10T04:10:32Z-
dc.date.available2019-07-10T04:10:32Z-
dc.date.issued2011-08-
dc.identifier.other000000031000-
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/10371/158971-
dc.identifier.urihttp://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000031000ko_KR
dc.description학위논문 (박사)-- 서울대학교 대학원 : 재료공학부, 2011.8. 김형준.-
dc.format.extentxiii, 153 p.-
dc.language.isoeng-
dc.publisher서울대학교 대학원-
dc.subject4에이치-탄화규소-
dc.subject금속-반도체 전계효과 트랜지스터-
dc.subject트렌치-게이트-
dc.subject이온주입-
dc.subject오믹접합-
dc.subject쇼트키접합-
dc.subject게이트 구조-
dc.subject고순도 반절연 기판-
dc.subject드레인 유도 장벽 저하-
dc.subject소신호등가회로-
dc.subject4H-SiC-
dc.subjectMESFET-
dc.subjectTrench-gate-
dc.subjectIon-implantation-
dc.subjectOhmic contact-
dc.subjectSchottky contact-
dc.subjectHigh-purity semi-insulating substrate-
dc.subjectDrain induced barrier lowering-
dc.subjectSmall-signal equivalent circuit-
dc.titlePerformance enhancement of trench-gate silicon carbide metal semiconductor field effect transistors for microwave power device applications-
dc.title.alternative고주파 전력소자 응용을 위한 탄화규소 트렌치 게이트 금속-반도체 전계효과 트렌지스터의 성능 향상에 관한 연구-
dc.typeThesis-
dc.typeDissertation-
dc.description.degreeDoctor-
dc.contributor.affiliation재료공학부-
dc.date.awarded2011-08-
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