Modeling of quantum transport in nano-scale MOSFET devices

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Modeling of quantum transport in nano-scale MOSFET devices : 나노 스케일 MOSFET 소자에서의 양자 전송 현상 모델링

DC Field	Value	Language
dc.contributor.advisor	박영준	-
dc.contributor.author	진성훈	-
dc.date.accessioned	2010-01-27	-
dc.date.available	2010-01-27	-
dc.date.copyright	2006.	-
dc.date.issued	2006	-
dc.identifier.uri	http://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000046584	eng
dc.identifier.uri	https://hdl.handle.net/10371/45364	-
dc.description	Thesis(doctoral)--서울대학교 대학원 :전기·컴퓨터공학부,2006.	en
dc.format.extent	xiv, 143 leaves	en
dc.language.iso	en	en
dc.publisher	서울대학교 대학원	en
dc.subject	MOSFET	en
dc.subject	MOSFET	en
dc.subject	양자 전송	en
dc.subject	quantum transport	en
dc.subject	비 평형 그린 함수 방법	en
dc.subject	nonequilibrium Green`s function formalism	en
dc.subject	포논 산란	en
dc.subject	electron-phonon interactions	en
dc.subject	산란	en
dc.subject	scattering	en
dc.subject	반도체 소자	en
dc.subject	semiconductor devices	en
dc.subject	소자 시뮬레이션	en
dc.subject	device simulations	en
dc.subject	quasi-ballistic transport	en
dc.subject	quasi-ballistic transport	en
dc.subject	nanowire transistor	en
dc.subject	nanowire transistor	en
dc.title	Modeling of quantum transport in nano-scale MOSFET devices	en
dc.title.alternative	나노 스케일 MOSFET 소자에서의 양자 전송 현상 모델링	en
dc.type	Thesis	-
dc.contributor.department	전기·컴퓨터공학부	-
dc.description.degree	Doctor	en

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