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유리 기판 위에 제작된 다결정 실리콘 트랜지스터에서의 자기 가열효과 분석과 ILD engineering

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dc.contributor.advisor한민구-
dc.contributor.author박수정-
dc.date.accessioned2010-01-27T14:46:40Z-
dc.date.available2010-01-27T14:46:40Z-
dc.date.copyright2004.-
dc.date.issued2004-
dc.identifier.urihttp://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000054326kog
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/10371/45592-
dc.description학위논문(석사)--서울대학교 대학원 :전기·컴퓨터공학부,2004.ko
dc.format.extentiii, 53 장ko
dc.language.isokoko
dc.publisher서울대학교 대학원ko
dc.subject다결정 실리콘 박막 트랜지스터(poly-Si TFT)ko
dc.subjectPoly-si tftko
dc.subject자기 가열효과(self-heating effect)ko
dc.subjectSelf-heating effectko
dc.subject높은 전력 조건ko
dc.subjectHigh power stressko
dc.subjectIld (inter-layer dielectric)ko
dc.title유리 기판 위에 제작된 다결정 실리콘 트랜지스터에서의 자기 가열효과 분석과 ILD engineeringko
dc.typeThesis-
dc.contributor.department전기·컴퓨터공학부-
dc.description.degreeMasterko
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