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Formation of nanometer-thick fluorinated oxide films and their applications : 나노미터 두께 불소화 산화물 박막의 형성과 그 응용에 대한 연구
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- Authors
- Advisor
- 차국린
- Issue Date
- 2005
- Publisher
- 서울대학교 대학원
- Keywords
- tunneling magnetoresistance (TMR) ; 꿰뚫기 자기 저항 ; magnetic tunnel junctions (MTJ) ; 자기 꿰뚫기 접합 ; tunneling ; 꿰뚫기 ; tunnel barrier ; 꿰뚫기 장벽 ; plasma oxidation ; 플라즈마 산화 ; fluorine doping ; 불소 도핑 ; fluorination ; 불소화 ; fluorinated oxide ; 불소화 산화물 ; oxyfluoride ; 산불화물 ; metal-oxide-semiconductor (MOS) ; 금속-산화막-반도체 ; gate oxide ; 게이트 산화막 ; effective oxide thickness (EOT) ; 유효 산화막 두께 ; gate leakage current ; 게이트 누설 전류 ; oxygen vacancy ; 산소 결핍 ; defects ; 결함 ; dielectric breakdown ; 유전성 깨짐 ; leakage channel ; 누설 전류 통로
- Description
- Thesis(doctoral)--서울대학교 대학원 :물리학부,2005.
- Language
- English
- URI
- http://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000049928
https://hdl.handle.net/10371/46453
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