Characterization and fabrication of nanocrystalline silicon thin film transistors fabricated at 200℃

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Characterization and fabrication of nanocrystalline silicon thin film transistors fabricated at 200℃ : 200 度에서 制作된 微細結晶 실리콘 薄膜 트랜지스터 制作 및 特性에 관한 硏究

DC Field	Value	Language
dc.contributor.advisor	한민구	-
dc.contributor.author	박중현	-
dc.date.accessioned	2010-02-02T08:23:06Z	-
dc.date.available	2010-02-02T08:23:06Z	-
dc.date.copyright	2008.	-
dc.date.issued	2008	-
dc.identifier.uri	http://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000039600	eng
dc.identifier.uri	https://hdl.handle.net/10371/48438	-
dc.description	Thesis(doctors)--서울대학교 대학원 :전기. 컴퓨터공학부,2008.2.	en
dc.format.extent	x, 105 p.	en
dc.language.iso	en	en
dc.publisher	서울대학교 대학원	en
dc.subject	미세 결정 실리콘	en
dc.subject	nanocrystalline silicon (nc-Si)	en
dc.subject	박막 트랜지스터	en
dc.subject	thin film transistor (TFT)	en
dc.subject	유도 결합 플라즈마 화학 기상 증착	en
dc.subject	inductively coupled plasma chemical vapor deposition (ICP-CVD)	en
dc.subject	부화층	en
dc.subject	incubation layer	en
dc.subject	누설 전류	en
dc.subject	leakage current	en
dc.subject	전계 효과 이동도	en
dc.subject	field effect mobility	en
dc.title	Characterization and fabrication of nanocrystalline silicon thin film transistors fabricated at 200℃	en
dc.title.alternative	200 度에서 制作된 微細結晶 실리콘 薄膜 트랜지스터 制作 및 特性에 관한 硏究	en
dc.type	Thesis	-
dc.contributor.department	전기. 컴퓨터공학부	-
dc.description.degree	Doctor	en

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