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Sidewall 극미세 다중 패턴 형성 기술을 이용한 double-gate SOI finFETs의 제작 및 특성 연구

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dc.contributor.advisor이종덕-
dc.contributor.author박주희-
dc.date.accessioned2010-02-09T14:54:10Z-
dc.date.available2010-02-09T14:54:10Z-
dc.date.copyright2006.-
dc.date.issued2006-
dc.identifier.urihttp://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000047763kog
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/10371/53483-
dc.description학위논문(석사)--서울대학교 대학원 :전기공학부,2006.ko
dc.format.extentii, 44 장ko
dc.language.isokoko
dc.publisher서울대학교 대학원ko
dc.subjectsidewall patterning 기술ko
dc.subjectsidewall patterning techniqueko
dc.subject극미세 다중 패턴ko
dc.subjectvery fine multi-lineko
dc.subjectdouble-gateko
dc.subjectdouble-gateko
dc.subjectSOIko
dc.subjectSOIko
dc.subjectFinFETko
dc.subjectFinFETko
dc.titleSidewall 극미세 다중 패턴 형성 기술을 이용한 double-gate SOI finFETs의 제작 및 특성 연구ko
dc.typeThesis-
dc.contributor.department전기공학부-
dc.description.degreeMasterko
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