MOCVD growth of C-doped GaAsAlGaAs and quantum wire on nonplanar substrates

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MOCVD growth of C-doped GaAsAlGaAs and quantum wire on nonplanar substrates : 유기금속 화학기상증착법에 의한 비평탄화된 모제위에 성장된 C-doped GaAsAlGaAs 및 양자선의 특성연구

DC Field	Value	Language
dc.contributor.advisor	최병두	-
dc.contributor.author	이정석	-
dc.date.accessioned	2010-02-22	-
dc.date.available	2010-02-22	-
dc.date.copyright	1997.	-
dc.date.issued	1997	-
dc.identifier.uri	http://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000078094	eng
dc.identifier.uri	https://hdl.handle.net/10371/55918	-
dc.description	Thesis (doctoral)--서울대학교 대학원 :물리학과,1997.	en
dc.format.extent	viii, 126 p.	en
dc.language.iso	en	en
dc.publisher	서울대학교 대학원	en
dc.subject	MOCVD	en
dc.subject	유기금속 화학기상증착법	en
dc.subject	CCl₄	en
dc.subject	성장속도	en
dc.subject	growth rate	en
dc.subject	Al 조성비	en
dc.subject	Al composition	en
dc.subject	비평탄화된 기판	en
dc.subject	nonplanar substrate QWR	en
dc.subject	양자선	en
dc.title	MOCVD growth of C-doped GaAsAlGaAs and quantum wire on nonplanar substrates	en
dc.title.alternative	유기금속 화학기상증착법에 의한 비평탄화된 모제위에 성장된 C-doped GaAsAlGaAs 및 양자선의 특성연구	-
dc.type	Thesis	-
dc.contributor.department	물리학과	-
dc.description.degree	Doctor	en

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