Asymmetric MOSFETs Using Novel Fabrication Method

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Asymmetric MOSFETs Using Novel Fabrication Method : 새로운 공정 방법을 이용한 비대칭 MOSFET

DC Field	Value	Language
dc.contributor.advisor	박병국	-
dc.contributor.author	김종필	-
dc.date.accessioned	2010-05-04T05:32:21Z	-
dc.date.available	2010-05-04T05:32:21Z	-
dc.date.copyright	2010	-
dc.date.issued	2010	-
dc.identifier.uri	http://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000032544	eng
dc.identifier.uri	https://hdl.handle.net/10371/63981	-
dc.description	Thesis(doctors) --서울대학교 대학원 :전기. 컴퓨터공학부,2010.2.	en
dc.format.extent	vi, 135 p.	en
dc.language.iso	en	en
dc.publisher	서울대학교 대학원	en
dc.subject	비대칭 전계효과 트랜지스터	en
dc.subject	asymmetric MOSFET	en
dc.subject	저농도로 도핑된 드레인	en
dc.subject	lightly doped drain-source (LDD)	en
dc.subject	자기정렬	en
dc.subject	self-alignment	en
dc.subject	측벽 게이트	en
dc.subject	sidewall spacer gate	en
dc.subject	메사 형태의 비대칭 전계효과 트랜지스터	en
dc.subject	mesa-shaped asymmetric nMOSFETs	en
dc.subject	평면의 비대칭 전계효과 트랜지스터	en
dc.subject	planar asymmetric devices	en
dc.title	Asymmetric MOSFETs Using Novel Fabrication Method	en
dc.title.alternative	새로운 공정 방법을 이용한 비대칭 MOSFET	en
dc.type	Thesis	-
dc.contributor.department	전기. 컴퓨터공학부	-
dc.description.degree	Doctor	en

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