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Corner Effect in a Saddle MOSFET for DRAM Cell Transistor : 말안장 구조를 가진 DRAM Cell 소자에서의 주변부 효과
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- Authors
- Advisor
- 신형철
- Issue Date
- 2010
- Publisher
- 서울대학교 대학원
- Keywords
- 안장구조 전계효과 트랜지스터 ; Saddle MOSFET (S-MOSFET) ; 구석 효과 ; corner effect ; 단채널 효과 ; SCEs ; 양자역학 ; quantum ; 고전역학 ; classical ; DRAM
- Description
- Thesis(masters) --서울대학교 대학원 :전기. 컴퓨터공학부,2010.2.
- Language
- English
- URI
- http://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000033523
https://hdl.handle.net/10371/64969
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