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에피층 설계 및 경사형 게이트를 이용한 나노스케일 HEMT 연구 : Epitaxial design and study on nano-scale HEMTs using sloped gate process
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.advisor | 서광석 | - |
dc.contributor.author | 김종욱 | - |
dc.date.accessioned | 2010-05-10T09:56:13Z | - |
dc.date.available | 2010-05-10T09:56:13Z | - |
dc.date.copyright | 2010 | - |
dc.date.issued | 2010 | - |
dc.identifier.uri | http://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000033444 | kog |
dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/10371/65202 | - |
dc.description | 학위논문(석사) --서울대학교 대학원 :전기. 컴퓨터공학부,2010.2. | ko |
dc.format.extent | ⅳ, 49 장 | ko |
dc.language.iso | ko | ko |
dc.publisher | 서울대학교 대학원 | ko |
dc.subject | 경사형 게이트 | ko |
dc.subject | HEMT | ko |
dc.subject | 초고속 동작 | ko |
dc.subject | sloped gate | ko |
dc.title | 에피층 설계 및 경사형 게이트를 이용한 나노스케일 HEMT 연구 | ko |
dc.title.alternative | Epitaxial design and study on nano-scale HEMTs using sloped gate process | ko |
dc.type | Thesis | - |
dc.contributor.department | 전기. 컴퓨터공학부 | - |
dc.description.degree | Master | ko |
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