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복층 희생층 기술을 이용한 MEMS 이온트랩 장치 제작 방법 : Fabrication Method for MEMS Ion Trap Device Using Dual Sacrificial Layer
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.advisor | 조동일 | - |
| dc.contributor.author | 천홍진 | - |
| dc.date.accessioned | 2017-07-14T02:41:23Z | - |
| dc.date.available | 2017-07-14T02:41:23Z | - |
| dc.date.issued | 2016-02 | - |
| dc.identifier.other | 000000132340 | - |
| dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/10371/122788 | - |
| dc.description | 학위논문 (석사)-- 서울대학교 대학원 : 전기·정보공학부, 2016. 2. 조동일. | - |
| dc.description.abstract | 희생층을 형성 및 식각하여 입체적인 구조물을 구현하는 희생층 기술은 MEMS 구조물을 제작하는 데 사용되는 대표적인 반도체 공정 기술이다. 일반적인 희생층 공정이 단일 물질로 희생층을 형성하는 반면, 본 논문에서 제안하는 새로운 희생층 공정 기술은 물성이 서로 상이한 두 물질로 복층 희생층을 구현하여 희생층 서로의 물리적 한계를 보완하고 희생층과 구조층 간의 상호작용을 조절함으로써 구조층이 받는 악영향을 최소화시킨다. 구리는 널리 사용되는 희생층 물질이지만 고온 환경에서 열팽창으로 인해 주변 구조물에 손상을 줄 수 있다. 구리 희생층과 구조층 사이에 제 2의 희생층인 폴리이미드 완충층을 형성하면 구리 희생층이 팽창하며 주변에 가하는 외력을 완화시켜 구조물 크랙을 방지할 수 있다. 테스트 공정을 통해 본 기술을 검증했으며 실제 MEMS 이온트랩 공정에 적용해 양품 이온트랩 칩을 제작하는 데 성공했다. 본 복층 희생층 기술은 다양한 MEMS 구조물 제작에 응용될 것으로 기대된다. | - |
| dc.description.tableofcontents | 제 1 장 서 론 1
1.1. 연구의 배경 1 1.1.1. MEMS 및 희생층 기술 1 1.1.2. 희생층 공정 시 유의사항 2 1.2. 연구의 목적 및 의의 5 1.3 본 논문의 구성 5 제 2 장 양자 정보 및 이온 트랩 6 2.1. 양자 정보 처리 6 2.2. 이온 트랩 9 2.2.1. 이온 트랩 개요 9 2.2.2. 이온 트랩의 구조 및 원리 10 2.2.3. 이온 트랩의 발전 12 2.3. 서울대-SKT 이온 트랩 14 2.3.1. B-type / C-type 이온 트랩 14 2.3.2. D-type 이온 트랩 24 제 3 장 절연층 크랙 방지를 위한 공정 설계 30 3.1. 절연층 크랙 30 3.1.1. 절연층 크랙 발생 30 3.1.2. 절연층 크랙 방지 35 3.2. 복층 희생층 기술 36 3.2.1. 폴리이미드 완충층 36 3.2.2. 복층 희생층 테스트 공정 39 3.2.3. 개선된 D-type 이온 트랩 46 제 4 장 결 론 50 참고문헌 51 Abstract 55 | - |
| dc.format | application/pdf | - |
| dc.format.extent | 5430083 bytes | - |
| dc.format.medium | application/pdf | - |
| dc.language.iso | ko | - |
| dc.publisher | 서울대학교 대학원 | - |
| dc.subject | 희생층 | - |
| dc.subject | 완충층 | - |
| dc.subject | 구리 | - |
| dc.subject | 폴리이미드 | - |
| dc.subject | MEMS | - |
| dc.subject | 이온트랩 | - |
| dc.subject.ddc | 621 | - |
| dc.title | 복층 희생층 기술을 이용한 MEMS 이온트랩 장치 제작 방법 | - |
| dc.title.alternative | Fabrication Method for MEMS Ion Trap Device Using Dual Sacrificial Layer | - |
| dc.type | Thesis | - |
| dc.contributor.AlternativeAuthor | Hongjin Cheon | - |
| dc.description.degree | Master | - |
| dc.citation.pages | iv, 55 | - |
| dc.contributor.affiliation | 공과대학 전기·정보공학부 | - |
| dc.date.awarded | 2016-02 | - |
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