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관성센서를 위해 실리콘 (111)을 이용한 실리콘 나노와이어 제작방법

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Authors
이훈
Advisor
조동일
Major
공과대학 전기·정보공학부
Issue Date
2017-02
Publisher
서울대학교 대학원
Keywords
실리콘 나노와이어(111) 실리콘비등방성 식각
Description
학위논문 (석사)-- 서울대학교 대학원 : 전기·정보공학부, 2017. 2. 조동일.
Abstract
대부분의 MEMS 관성센서 기술은 커패시터 센싱 방식을 이용하며, 점점 소형화 추세로 기술이 개발되고 있다. 하지만, 소형 크기에 대한 커패시터 센싱 방식에는 한계가 존재한다. 실리콘 나노와이어는 큰 압저항 효과를 가지고 있고, 커패시터 방식의 센서 크기 제한을 넘어 초소형화가 가능하여 이를 이용한 MEMS 관성센서 연구가 진행되고 있다. 벌크실리콘 대비 실리콘 나노와이어의 큰 압저항 효과에 대해서는 아직까지 논쟁 중이지만, 실험값을 통해 큰 압저항 특성은 제시하고 있다. 이에, 실리콘 나노와이어를 이용한 MEMS 관성센서 제작을 위해서는 실리콘 나노와이어 제작이 선행되어야 한다. 본 논문에서는 (111) 실리콘의 비등방성 식각 특성을 이용한 실리콘 나노와이어 제작방법을 설명한다. 이 방식을 통해, 실리콘 나노와이어의 너비와 두께를 자유롭게 조절 가능하며, 실리콘 나노와이어의 단면적을 최소 40 nm x 300 nm 정도까지 제작하였다. 또한, 실리콘 나노와이어를 원하는 위치에 생성이 가능하며, 실리콘 나노와이어에 영향 없이 실리콘을 최대 30 um 정도 식각이 가능하다. 이는 실리콘 나노와이어를 이용한 관성 센서 제작이 가능함을 보여준다. 향후, 이 공정법을 통해 제작된 실리콘 나노와이어의 압저항 효과를 측정하여, 관성센서 제작에 응용될 것으로 기대된다.
Language
Korean
URI
https://hdl.handle.net/10371/122847
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Appears in Collections:
College of Engineering/Engineering Practice School (공과대학/대학원)Dept. of Electrical and Computer Engineering (전기·정보공학부)Theses (Master's Degree_전기·정보공학부)
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