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순수 그래핀과 질소도핑 그래핀의 온도에 따른 전기전도도 변화 : Temperature Dependence of Electrical Conductivity of N-doped & Pristine Graphene
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- Authors
- Advisor
- 이준식
- Major
- 공과대학 기계항공공학부
- Issue Date
- 2014-02
- Publisher
- 서울대학교 대학원
- Keywords
- 질소도핑 그래핀 ; 온도에 따른 전기전도도 ; 4점 측정법 ; PMMA 전사 ; FET 시편
- Description
- 학위논문 (석사)-- 서울대학교 대학원 : 기계항공공학부, 2014. 2. 이준식.
- Abstract
- 본 연구에서는 온도를 변화시켜가며 질소도핑 그래핀과 순수 그래핀의 전기전도도를 측정하였다. 시편은 Si위에 SiO2 가 있는 FET(Field Effect Transistor) 구조에 전기전도도를 측정하기 위해 4점측정법이 사용가능 하도록 Au와 Cr으로 전극 패턴을 하였다. CVD(Chemical Vapor Deposition) 방식으로 Cu 위에 합성된 그래핀을 PMMA 방법을 통해 시편으로 전사하였다. 각 온도에서 Chemical Potential을 가해주어 Charge Carrier Density를 변화시키기 위해 Gate Voltage를 변화시켜가며 전기전도도를 측정하였고 Gate Voltage와 전기전도도의 그래프의 기울기를 통하여 Mobility를 산출해내었다.
- Language
- Korean
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