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탄화규소를 이용한 고전압 쇼트키 다이오드 제작
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.advisor | 김형준 | - |
| dc.contributor.author | 김대환 | - |
| dc.date.accessioned | 2009-11-24T03:43:00Z | - |
| dc.date.available | 2009-11-24T03:43:00Z | - |
| dc.date.copyright | 2004. | - |
| dc.date.issued | 2004 | - |
| dc.identifier.uri | http://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000054313 | kor |
| dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/10371/14380 | - |
| dc.description | 학위논문(석사)--서울대학교 대학원 :재료공학부,2004. | kor |
| dc.format.extent | xiii, 79 장 | kor |
| dc.language.iso | ko | - |
| dc.publisher | 서울대학교 대학원 | kor |
| dc.subject | 4H-SiC | kor |
| dc.subject | Schottky barrier diode | kor |
| dc.subject | specific on resistance Ron | kor |
| dc.subject | 항복전압 VB | kor |
| dc.title | 탄화규소를 이용한 고전압 쇼트키 다이오드 제작 | kor |
| dc.type | Thesis | - |
| dc.contributor.department | 재료공학부 | - |
| dc.description.degree | Master | kor |
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