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HVPE법을 이용한 GaN 결정의 성장에 미치는 극성의 영향

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dc.contributor.advisor정수진-
dc.contributor.author김병훈-
dc.date.accessioned2009-11-24T23:15:11Z-
dc.date.available2009-11-24T23:15:11Z-
dc.date.copyright2003.-
dc.date.issued2003-
dc.identifier.urihttp://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000057887kor
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/10371/14672-
dc.description학위논문(석사)--서울대학교 대학원 :재료공학부,2003.kor
dc.format.extentvi, 70 장kor
dc.language.isoko-
dc.publisher서울대학교 대학원kor
dc.subjectGaNkor
dc.subjectGaNkor
dc.subjectHVPEkor
dc.subjectHVPEkor
dc.subject결정 극성kor
dc.subjectCrystal Polaritykor
dc.titleHVPE법을 이용한 GaN 결정의 성장에 미치는 극성의 영향kor
dc.typeThesis-
dc.contributor.department재료공학부-
dc.description.degreeMasterkor
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