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Growth of GaN thin film using silica microspheres coated sapphire substrate : 실리카 볼이 코팅된 사파이어 기판을 사용한 고품질의 질화갈륨 박막의 성장

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dc.contributor.advisor윤의준-
dc.contributor.author김종학-
dc.date.accessioned2009-11-24T23:57:20Z-
dc.date.available2009-11-24T23:57:20Z-
dc.date.copyright2009.-
dc.date.issued2009-
dc.identifier.urihttp://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000036864eng
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/10371/14784-
dc.description학위논문(석사) --서울대학교 대학원 :재료공학부, 2009.2.eng
dc.format.extent58 leaveseng
dc.language.isoen-
dc.publisher서울대학교 대학원eng
dc.subject유기 금속 화학 기상 증착 법eng
dc.subjectGaN filmeng
dc.subject실리카 볼eng
dc.subjectELOG mechanismeng
dc.subject스핀 코팅eng
dc.subjectsilica microsphereseng
dc.subject자기조립 단 분자 막eng
dc.subject질화 갈륨eng
dc.titleGrowth of GaN thin film using silica microspheres coated sapphire substrateeng
dc.title.alternative실리카 볼이 코팅된 사파이어 기판을 사용한 고품질의 질화갈륨 박막의 성장eng
dc.typeThesis-
dc.contributor.department재료공학부-
dc.description.degreeMastereng
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