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DRAM에 응용되는 이산화티타늄을 기반으로 한 산화박막의 증착거동 및 유전특성 개선에 관한 연구 : Improvements in deposition behavior and dielectric properties of TiO2 based oxide films for dynamic random access memory applications

DC Field Value Language
dc.contributor.advisor황철성-
dc.contributor.author최규진-
dc.date.accessioned2009-11-25T02:09:05Z-
dc.date.available2009-11-25T02:09:05Z-
dc.date.copyright2009.-
dc.date.issued2009-
dc.identifier.urihttp://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000036889kor
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/10371/14967-
dc.description학위논문(석사) --서울대학교 대학원 :재료공학부, 2009.2.kor
dc.format.extent166장kor
dc.language.isoko-
dc.publisher서울대학교 대학원kor
dc.subject커패시터kor
dc.subjectcapacitorkor
dc.subjectALDkor
dc.subjectALDkor
dc.subjectPEALDkor
dc.subjectPEALDkor
dc.subjectTiO2kor
dc.subjectTiO2kor
dc.subjectAl-doped TiO2kor
dc.subjectAl-doped TiO2kor
dc.subject플라즈마kor
dc.subjectplasmakor
dc.subjectRukor
dc.subjectRukor
dc.subjectTiNkor
dc.subjectTiNkor
dc.titleDRAM에 응용되는 이산화티타늄을 기반으로 한 산화박막의 증착거동 및 유전특성 개선에 관한 연구kor
dc.title.alternativeImprovements in deposition behavior and dielectric properties of TiO2 based oxide films for dynamic random access memory applicationskor
dc.typeThesis-
dc.contributor.department재료공학부-
dc.description.degreeMasterkor
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