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(The) effect of Ge addition on the materials properties and PRAM device performances using Ge-doped SbTe : Ge 첨가에 따른 Doped SbTe의 재료 물성 및 상변화 메모리 소자 특성에 대한 연구
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- Authors
- Advisor
- 이경우
- Major
- 재료공학부
- Issue Date
- 2011-02
- Publisher
- 서울대학교 대학원
- Keywords
- 상변화메모리 ; 결정화 속도 ; 비정질 안정성 ; 성장주도 ; 재결정화 ; RESET 안정성 ; SET 속도 ; Phase change memory ; PRAM ; Ge-doped SbTe ; Ge-ST ; crystallization kinetics ; nucleation ; crystal growth ; recrystallization ; growth dominated crystallization ; SET speed ; amorphous formability ; amorphous stability ; RESET stability
- Description
- 학위논문 (박사)-- 서울대학교 대학원 : 재료공학부, 2011.2. 이경우.
- Language
- eng
- URI
- https://hdl.handle.net/10371/158969
http://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000028940
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