Publications
Detailed Information
수직채널 이중 게이트 구조의 소자를 이용한 캐패시터를 갖지 않는 단일소자 구조의 디램 셀 구조에 관한 연구 : New capacitor-less 1T DRAM cell based on a double gate MOSFET with vertical channel (DGVC Cell)
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.advisor | 박병국 | - |
| dc.contributor.author | 이윤성 | - |
| dc.date.accessioned | 2010-01-25T07:24:20Z | - |
| dc.date.available | 2010-01-25T07:24:20Z | - |
| dc.date.copyright | 2007. | - |
| dc.date.issued | 2007 | - |
| dc.identifier.uri | http://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000045637 | kog |
| dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/10371/43541 | - |
| dc.description | 학위논문(석사)--서울대학교 대학원 :협동과정 나노과학기술전공,2007. | ko |
| dc.format.extent | iii, 52 장 | ko |
| dc.language.iso | ko | ko |
| dc.publisher | 서울대학교 대학원 | ko |
| dc.subject | 전하 저장 공간이 없는 기억 소자 | ko |
| dc.subject | 1T DRAM | ko |
| dc.subject | 부분 공핍 | ko |
| dc.subject | Floating Body | ko |
| dc.subject | 완전 공핍 | ko |
| dc.subject | Double Gate | ko |
| dc.subject | 부하바디 | ko |
| dc.subject | Vertical Channel | ko |
| dc.subject | 1T DRAM | ko |
| dc.subject | Fully Depletion | ko |
| dc.subject | 수직 채널 | ko |
| dc.subject | Partially Depletion | ko |
| dc.title | 수직채널 이중 게이트 구조의 소자를 이용한 캐패시터를 갖지 않는 단일소자 구조의 디램 셀 구조에 관한 연구 | ko |
| dc.title.alternative | New capacitor-less 1T DRAM cell based on a double gate MOSFET with vertical channel (DGVC Cell) | ko |
| dc.type | Thesis | - |
| dc.contributor.department | 협동과정 나노과학기술전공 | - |
| dc.description.degree | Master | ko |
- Appears in Collections:
- Files in This Item:
- There are no files associated with this item.
Item View & Download Count
Items in S-Space are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.