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Electron-Phonon interaction model and its application to numerical analysis of micronanoscale energy transport in silicon devices : 전자-포논 상호작용 모델과 이를 이용한 마이크로나노스케일의 실리콘 소자 내 에너지 전달에 관한 수치해석
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.advisor | 이준식 | - |
| dc.contributor.author | 진재식 | - |
| dc.date.accessioned | 2010-01-25T23:28:27Z | - |
| dc.date.available | 2010-01-25T23:28:27Z | - |
| dc.date.copyright | 2007. | - |
| dc.date.issued | 2007 | - |
| dc.identifier.uri | http://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000045122 | eng |
| dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/10371/44168 | - |
| dc.description | Thesis(doctor`s)--서울대학교 대학원 :기계항공공학부,2007. | en |
| dc.format.extent | xxi, 148 leaves | en |
| dc.language.iso | en | en |
| dc.publisher | 서울대학교 대학원 | en |
| dc.subject | 전자-포논 상호작용 모델 | en |
| dc.subject | Electron-phonon interactions | en |
| dc.subject | 볼츠만 수송 방정식 | en |
| dc.subject | BTE | en |
| dc.subject | 고온점 | en |
| dc.subject | Hot spot | en |
| dc.subject | 박막 소자 | en |
| dc.subject | SOI transistor | en |
| dc.subject | NMOS 소자 | en |
| dc.subject | NMOS transistor | en |
| dc.subject | 열전도율 | en |
| dc.subject | Thermal conductivity | en |
| dc.subject | 도핑 농도 | en |
| dc.subject | Doping concentration | en |
| dc.title | Electron-Phonon interaction model and its application to numerical analysis of micronanoscale energy transport in silicon devices | en |
| dc.title.alternative | 전자-포논 상호작용 모델과 이를 이용한 마이크로나노스케일의 실리콘 소자 내 에너지 전달에 관한 수치해석 | en |
| dc.type | Thesis | - |
| dc.contributor.department | 기계항공공학부 | - |
| dc.description.degree | Doctor | en |
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