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성능 향상을 위한 전계 유도 밴드간 터널링 효과 트랜지스터의 제작 : Fabrication process of vertical field-induced interband tunneling effect transistor
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.advisor | 박병국 | - |
| dc.contributor.author | 양홍선 | - |
| dc.date.accessioned | 2010-01-26T15:36:30Z | - |
| dc.date.available | 2010-01-26T15:36:30Z | - |
| dc.date.copyright | 2009. | - |
| dc.date.issued | 2009 | - |
| dc.identifier.uri | http://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000036983 | kog |
| dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/10371/45014 | - |
| dc.description | 학위논문(석사) --서울대학교 대학원 :전기. 컴퓨터공학부, 2009.2. | ko |
| dc.format.extent | 38장 | ko |
| dc.language.iso | ko | ko |
| dc.publisher | 서울대학교 대학원 | ko |
| dc.subject | 밴드간 터널링 효과 트랜지스터 | ko |
| dc.subject | Field-induced Interband Tunneling Effect Transistor | ko |
| dc.subject | FITET | ko |
| dc.subject | FITET | ko |
| dc.subject | 밴드간 터널링 | ko |
| dc.subject | NDT | ko |
| dc.subject | 수직 채널 | ko |
| dc.subject | NDC | ko |
| dc.subject | surrounding gate | ko |
| dc.subject | vertical-type FITET | ko |
| dc.subject | 공정 방법 | ko |
| dc.subject | surrounding gate | ko |
| dc.title | 성능 향상을 위한 전계 유도 밴드간 터널링 효과 트랜지스터의 제작 | ko |
| dc.title.alternative | Fabrication process of vertical field-induced interband tunneling effect transistor | ko |
| dc.type | Thesis | - |
| dc.contributor.department | 전기. 컴퓨터공학부 | - |
| dc.description.degree | Master | ko |
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