Cu electroless bottom-up filling techniques for ULSI interconnect fabrication

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Cu electroless bottom-up filling techniques for ULSI interconnect fabrication : 초 고밀도 집적회로 배선 공정을 위한 구리 무전해 초등각 전착

DC Field	Value	Language
dc.contributor.advisor	김재정	-
dc.contributor.author	이창화	-
dc.date.accessioned	2010-01-27	-
dc.date.available	2010-01-27	-
dc.date.copyright	2006.	-
dc.date.issued	2006	-
dc.identifier.uri	https://hdl.handle.net/10371/45319	-
dc.description	Thesis(doctor`s)--서울대학교 대학원 :응용화학부,2006.	en
dc.format.extent	xv, 176 leaves	en
dc.language.iso	en	en
dc.publisher	서울대학교 대학원	en
dc.subject	구리	en
dc.subject	Copper	en
dc.subject	무전해 도금	en
dc.subject	Electroless deposition	en
dc.subject	표면 처리	en
dc.subject	Surface treatment	en
dc.subject	탄탈륨	en
dc.subject	Ta	en
dc.subject	씨앗층	en
dc.subject	Seed layer	en
dc.subject	초등각 전착	en
dc.subject	Bottom-up filling	en
dc.subject	첨가제	en
dc.subject	Additive	en
dc.subject	에스피에스	en
dc.subject	SPS	en
dc.subject	디피에스	en
dc.subject	DPS	en
dc.subject	재결정화	en
dc.subject	Self-annealing	en
dc.title	Cu electroless bottom-up filling techniques for ULSI interconnect fabrication	en
dc.title.alternative	초 고밀도 집적회로 배선 공정을 위한 구리 무전해 초등각 전착	en
dc.type	Thesis	-
dc.contributor.department	응용화학부	-
dc.description.degree	Doctor	en

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