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ICP-CVD 공정을 이용한 저온(150℃)SiO₂절연막의 전기적 특성연구
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- Authors
- Advisor
- 한민구
- Issue Date
- 2004
- Publisher
- 서울대학교 대학원
- Keywords
- 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 ; Poly-si tft ; 게이트 산화막 ; Icp-cvd ; 엑시머 레이저 어닐링 ; Silicon dioxide ; Gate insulator ; Excimer laser annealing ; Pre-oxidation
- Description
- 학위논문(석사)--서울대학교 대학원 :전기·컴퓨터공학부,2004.
- Language
- Korean
- URI
- http://dcollection.snu.ac.kr:80/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000054318
https://hdl.handle.net/10371/45594
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